FET transistörlerin kullanılması için ilk öneriler 1955 li yıllara dayanmaktadır. Fakat o zaman ki üretim teknolojileri bilim adamlarının kafalarında oluşanları üretime yansıtacak kadar yeterli değildi. Bu nedenle FET transistörlerin yapımları ve kullanımları daha sonralara kaldı.
FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) yada kısaca bilinene adı ile FET, ikincisi ise MOSFET ( Metal Oxcide Silicon Field Effect Transistör) yada daha az bilinen adı ile IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistör).
Transistör yada BJT Transistör iki taşıyıcı grubu ile çalışmakta idi. Örneğin NPN bir transitörün emitöründen giren elektronlar emitör içinde çoğunluk taşıcısı olmaktadır. Sonra P tipi beyz içinden geçerken azınlık taşıyıcısı olmakta, en son N tipi kollektörden geçerken tekrar çoğunluk taşıyıcısı olmaktadır. FET içinde ise elektronlar sadece N tipi yada P tipi madde içinden geçmektedir. Sadece çoğunluk taşıyıcıları ile çalışmaktadır. Bu nedenle yapısal farklılığı vardır. Ayrıca en önemli kullanım özelliklerinden biride giriş dirençleri çok yüksektir. Bu nedenle bağlandıkları devreleri yüklemezler. Az gürültü ürettikleri için giriş devreleri için tercih edilirler.
İki tip FET i ayrı ayrı inceleyelim.
JFET:

Anlatımlarımda sadece N kanal JFET i kullanacağım. P kanal JFET, N kanal JFET in çalışması ile aynı olup beslemelerin polariteleri ile N ve P maddelerin yerleri değişmektedir.
Ortadaki N maddesinin bir ucu D (drain - akaç) diğer ucu ise S (source kaynak) olarak adlandırılır. Ortadaki bu parça aynı zamanda kanal channel olarak adlandırılır. Kanalın alt üst kısımlarındaki P tipi parçalar birleştirilmiş olup G (gate kapı) olarak adlandırılır.
Yukarıdaki şekle bakarsanız. VDD kaynağının negatif ucu source ucuna, pozitif ucu drain ucuna bağlanmıştır. Bu nedenle akacak olan ID akımı drain den source ye doğrudur. VGG kaynağının eksi ucu P maddesinden yapılmış olan gate ye, artı ucu ise source ye bağlanmıştır. Yani gate ve kanal ters polarmalanmıştır. Bu sebepten gate akımı IG =0 olacaktır. www.diyot.net
Şimdi VGG voltajının 0V olduğunu düşünelim. O zaman VDD voltajının oluşturduğu akım ID, drainden source ye doğru ve maksimum olarak akacaktır. ID akımını sınırlayan sadece kanalın kesitidir. Bu kesit yada hacim de kadar büyük olursa ID akımı da o kadar büyük olarak akacaktır.
Şimdi VGG voltajını biraz pozitif olarak arttıralım. O zaman P maddesinden yapılmış gate ile N maddesinden yapılmış olan kanal ters polarmalanacaktır. P maddesindeki boşluklar VGG kaynağından gelen elektronlarla doldurularak gate etrafında (p maddesi etrafında) bir yayılma alanı yaratacaktır.

Gate ile source arasında sadece VGG voltaj kaynağı olduğu için gate source arasında sadece VGG nin yaratığı ters polarizasyon, gate ile drain arasında VGG + VDD kaynağı olduğu için source - drain arasındaki ters polarizayson VGG + VDD kadar olacaktır. Bu sebepten yayılmanın profili source trafında daha az, drain tarafında daha fazla olacaktır. Bu yayılma kanalı daralttığı için ID akımı azalacaktır. VGG voltajını daha da arttırırsak alan iyice yayılarak bütün kanalı kapatır ve ID akımı sıfır olur. ID akımını sıfır yapan VGG voltajına Pinchoff voltajı Vp denir.

Yukarıdaki şekilde VGS voltajını Vp voltajının biraz altında sabit tutalım. VDS voltajını sıfırdan itibaren yavaşça arttıralım. Bu durumda kanal bir miktar açık olduğu için ID akımı sıfırdan itibaren biraz yükselecektir. VDS voltajını arttırdığımızda ID akımı da doğrusal olarak artacaktır. Bu durum yani ID akımının doğrusal olarak artması VDS voltajının, VGS ile Vp nin farkına eşit olduğu (VDS = VGS - Vp) değere kadar devam eder. VD voltajı daha da arttırılırsa (VDS >= VGS - Vp) kanal genişliği VDS voltajına bağlı olarak ve aynı oranda daralır. Yada bu kritik değerden sonra kanal direnci VDS voltajı ile aynı oranda artar. Sonuçta VDS voltajı bu kritik değerden sonra ne kadar arttırılırsa arttırılsın ID akımı sabit kalır ve ID akımı VGS voltajı ile kontrol edilir. www.diyot.net
Eğer VGS voltajını sıfır yaparsak, VDS voltajı Vp değerine kadar yükseltilirse kanal genişliği minimum değerine ulaşır. Bu durumdaki ID akımına doyum akımı yada IDSS akımı denir. IDSS ile ID akımı arasındaki bağıntı:
ID= IDSS (1 - (VGS / Vp)2 )
Bu durum biraz karıştı. Basit bir özet yapalım.

Buradaki birinci bölge SABİT DİRENÇ bölgesi olarak tanımlanır. Bu bölgede VDS değeri küçüktür. Bu çalışma durumunda KANAL DİRENCİ gate ye uygulanan TERS BAYAS voltajı ile kontrol edilir. Bu uygulamalarda JFET Voltaj Kontrollü Direnç olarak çalışır.
İkinci bölge SABİT AKIM bölgesi olarak tanımlanır. Bu bölgede VDS değeri büyüktür. ID akımı gate voltajına bağlı olarak değişir, VDS değerinden bağımsızdır. Sabit akım bölgesi BJT transistörün CE bağlantısına benzer. Aralarında tek fark vardır. BJT Transistörde IC akımı IB AKIMININ fonksiyonudur. JFET Transistörde ID akımı gate ye uygulanan VOLTAJIN fonsiyonudur.
JFET in ID akımını veren formül;
ID= IDSS (1 - (VGS / Vp)2 )
Olarak vermiştim. Bu formülün sabit akım bölgesi için çizimine JFET TRANSFER KARAKTERİSTİĞİ denir. Aşağıdaki şekil buna bir örnektir.

Bu örnekte IDSS akımı 5mA, Vp voltajı 4V olarak çizilmiştir. Şekildeki transfer eğrisi görüldüğü gibi doğrusal DEĞİLDİR. Bu nedenle, örneğin VGS giriş voltajı 3V dan 2V a getirildiğinde ID akımı yaklaşı 1mA değişir. Fakat VGS giriş voltajı 2V dan 1v a getirildiğine ID akımındaki değişiklik 2mA olacaktır.

FET Transistörün Bayaslanması
Bir bayas devresi transistörü (FET, BJT transistör vs) özel bir durum söz konusu olmadıkça AKTİF BÖLGEDE çalışmasını sağlamak için tasarlanır. BJT transistörlerde bildiğiniz gibi beyz akımı bayas devresinin hesaplanmasında önemlidir. Fakat FET transistörlerde Gate akımı (IG=0) sıfırdır. FET transistörün aktif bölgede çalışabilmesi için Gate-Source arası voltaj negatif olur. Aşağıda bit JFET transistörün self-bayas devresi görülmektedir.

Yukarıdaki devrede IG akımı sıfır olduğu için ID akımı IG akımına eşit olacaktır.
ID=IG RS direnci üzerinden geçen ID akımı burada Source tarafı pozitif toprak tarafı negatif olacak şekilde bir voltaj oluşturur. IG akımı sıfır olacağı için RG direnci üzerinden hiç akım geçmeyecek ve RG direnci üzerinde bir voltaj düşümü olmayacaktır. Fakat Gate-Source arasında RS direnci üzerinde görülen voltaj NEGATİF olarak görülecektir. Bu voltaj JFET transistörün bayas voltajıdır. Bu söylediklerimizi formül haline getirirsek;
Çıkış devresi için;
VDD= ID (RD + RS) + VDS
Gate Source arası voltaj, IG=0 oldugu için;
VGS= -ID x RS
ID akımı;
ID= IDSS (1 - (VGS / Vp)2 )
Yukarıdaki formüllerle JFET için Q çalışma noktası kolayca bulunabilir.

Şimdi JFET transistörün bayaslanmasına ilişkin birkaç örnek yapalım.

N-Kanal bir JFET için;
IDSS= 4mA
Vp=-5V.
VDD=12V
RD=4,7 Kohm
RS=470 ohm
Olarak verilmiştir.
Q noktasının (ID, VDS) yerini bulunuz.
ID= IDSS (1 - (VGS / Vp)2 )
Formülüne bakacak olursak Vp voltajı VGS voltajına eşit olursa ID akımı IDSS akımına eşit olur. Yani IDSS akımı verilen Vp değerindeki doyum akımıdır. Bizim bulacağımız ID akım değeri IDSS akımından daha küçük olmalıdır. Pratik olarak VD değeri yaklaşı olarak VDD/2 olmalı ve VGS değeri Vp değerinin yarısı kadar olmalıdır. Buna göre VGS değerini 2V olarak seçersek;
ID= 4 (1 (-2 / -4)2 )
ID= 4 (1 0,5)2
ID= 4 (0,5)2
ID= 1mA olarak bulunur.
VDS voltajı;
VDD= ID (RD + RS) + VDS
VDS= VDD (ID (RD + RS))
VDS= 12 (1 (4,7 + 0,47))
VDS= 12 (1 (5,17))
VDS= 12 5,17
VDS= 6,83V olarak bulunur.
VD voltajı;
VD= VDD ID (RD)
VD= 12 1 (4.7)
VD= 12 4,7
VD= 7,3V olarak bulunur.

Sonuç olarak; ID=1mA, VDS=6,83V ve VD=7,3V olarak bulunur. Dikkat ederseniz RG direnci hesaplamalara girmedi. Nedeni, IG akımının sıfır olmasıdır. Bu direnç çıkışına bağlanacağı devrenin çıkış direncini etkilemeyecek büyükte seçilir. BJT transistörlerin bayaslanmasında geçerli olan bayas kararlılığına ait kurallar FET ler için de geçerlidir. Şimdi üniversal bayas devresine sahip bir JFET devresinin çözümlemesini yapalım.

Yukarıdaki devrede VDD=20V, RG1=470K, RG2=150K, RD=3,3K, IDSS=5mA ve VGS(off)=-4V verilmiştir. VGS(off) Vp nin başka bir adlandırmasıdır. Şimdi transistörün aktif durumda çalışması için RS direncimin değerini hesaplayalım. Yani ID akımı 2,5mA olsun.
Transistörün VGG voltajı (Gate - toprak arası voltaj)
VGG= VDD RG1 / ( RG1 + RG2 )
VGG= 20 x 150 / ( 470 + 150 )
VGG= 4,84V olarak bulunur.
Bayas direçlerinin eşdeğerine RG dersek;
RG= RG1RG2 / ( RG1 + RG2 )
RG= 470 x 150 / ( 470 + 150 )
RG=114K olarak bulunur.

Yukarıdaki eşdeğer devreye dikkatle bakacak olursak;
VGG= VGS + ( ID x RS )
Olarak yazılabileceğini görebiliriz.
Ayrıca IDSS akımının yani en büyük akımın VGS=0V da olduğunu ve ID akımının 0mA değerinin yani ID nin kesim değerinin Vp voltajında olduğunu biliyoruz. O zaman VGS değerini Vp/2 olarak düşünürsek;
VGG= VGS + ( ID x RS )
RS = (VGG - VGS) / ID
RS = (4,84 - (-2)) / 2,5
RS = 2,7K olarak buluruz.
Basit bir kontrol yapalım. Transistörün VGS voltajının negatif, transistörden akım geçmesi için Vp voltajından küçük olması gerekmektedir. ID akımının IDSS akımından küçük olması gerektiğini ve 2.5 mA olarak önceden tespit etmiştik.
VS=RS x ID
VS=2,7 x 2,5
VS=6,75V
VGG=4,84V idi.
VGG= VGS + ( ID x RS ) formülünü
VGG= VGS + VS olarak yazabiliriz. Buradan VGS ;
-VGS = VS - VGG
-VGS = 6,75 4,84
VGS = -1,91 V olduğu (yaklaşık -2V) tekrar görülür.

FET Transistörlü Yükselteç Devreleri:
Aşağıdadaki şekilde temel bir FET yükselteç devresi görülmektedir. Kullandığımız transistör bir JFET dir. VGG bayas kaynağı, küçük bir negatif GATE gerilimi (VGS) temin etmektedir. Transistörün Gate-Source arası VGS tarafından ters bayaslandığı için Gate akımı olmayacağından (yada ihmal edilebilir kadar küçük olacağından ) RG direnci üzerinde herhangi bir gerilim düşümü olmayacaktır. Bunun sonucu olarak VGS=VGG olacaktır.
Drain-Source besleme gerilimi VDD ve Drain direnci RD, ID Drain akımı ile Drain-Source arasındaki gerilimi (VDS) oluştururlar. Devre elemanlarının değeri ,VDS > Vp olacak şekilde seçileceğinden, transistörün SABİT AKIM bölgesinde çalışması sağlanır. Burada söylediğim SABİT AKIM, transistörden ne olursa olsun hep aynı akam akar anlamında değildir. VDD besleme geriliminde olabilecek değişiklerden ID akımının etkilenmemesidir.

Devredeki sinyal kaynağına seri olarak bağlanan Ci kondansatörü Vs alternatif sinyal kaynağı ile transistörün DC olan VGS si arasında DC izolasyon yapar. Vs alternatif kaynağı devreyi şu şekilde etkiler.
Vgs=VGS + Vs
Yukarıdaki formülde görülen VGS + Vs aslında vektörel bir toplamadır (Kafanız karışmasın, şimdi açıklıyorum) . Vs alternatif sinyal kaynağıdır. Yani genliği zamana göre değişir. Bir yükselir, bir azalır. VGS ise DC bir gerilimdir. Yani sabittir. Sabit olan VGS ile değişken olan Vs yi toplarsak ortalama değeri VGS olan fakat Vs kadar bir azalan bir çoğalan Vgs yi elde ederiz. Bu gerilim transistörün Gate sine uygulandığı için Vgs geriliminin yükseldiği zamanlarda ID akımı yükselir, Vgs geriliminin azaldığı zamanlarda da ID akımı azalır. Yani
ID akımı Vs nin sinyal şekline göre bir alzalır, bir yükselir. ID akımındaki bu değişiklik RD direnci üzerinde değişken bir gerilim oluşturur. Bu değişken gerilimi (RD üzerinde çıkış geriliminin hem AC hem DC bileşenleri vardır) Co kondansatörü ile devrenin dışına Vo olarak alırız. Bu bağlantı türündeki devrelerde Vo gerilimi Vi geriliminden daha fazla olduğu için devremizde bir GERİLİM KAZANCI oluşur. Örneğin bizim devremizde 0,5V luk bir Vi için 10V luk bir Vo elde edersek devrenin gerilim kazancı 20 olur.
Av= Vo / Vi
Av= 20 / 0,5
Av=20
Grafik Çözüm
Bir JFET devresini grafik olarak çözümlemek için VDS - ID yada DRAIN karakteristiği kullanılır. CE bağlantılı BJT transistöre çok benzer. Yukarıdaki devre için Drain devresinin DC denklemi,
VDS= VDD - ID * RD
Bu formüle aynı zamanda DC Yük Denklemi de denir.
Drain akımı ise,
ID= (VDD - VDS) / RD
Bunlar göre JFET yükseltecin grafiğini çizersek;

Yukarıdaki şekilde Yük Doğrusunun şekli , - 1/RD ile ifade edilmektedir. Bu lisede öğrendiğiniz sıkıcı grafiklerin en basitlerinden olan - 1/x aynısıdır. Eğer VGS voltajı -1V değerine ise, Q noktası şekildeki yerindedir. Q noktasının bu durumdaki karşı gelen VDS ise 25V olsun. Bu duruma sessizlik duruma denir. Şimdi Vi giriş sinyalini uyguladığımızı varsayalım. Vi sinyali yükseldiğinde negatif olan VGS bayas voltajını azaltacaktır. Örneğin VGS=0 olsun. Yani Q noktası şekilde A noktasına kayacaktır. Buna karşı gelen VDS ise örneğin 5V olacaktır. Görüldüğü gibi Vi giriş sinyali yükseldiğinde VGS voltajı azalmakta (Vo voltajı, VDS nin değişken kısmıdır) yani Vo voltajı negatif yönde artmıştır. Vi negatif yönde arttığı zaman VGS voltajını da arttıracak başka bir değişle VGS voltajı da negatif yönde yükselecektir. Bu durumda ID akımı da azalacağı için VDS voltajı yükselecektir. Bunu grafikte Q noktasının Yük Doğrusu üzerinde B noktasına gelmesi şeklinde görebiliriz. B noktasına karşı gelen VDS gerilimi de örneğin 45V olsun. Bu durumda giriş sinyali Vi 2V değiştiğinde çıkış sinyali 40V değişmekte ve 20 kat kazanç elde edilmektedir. Ayrıca giriş sinyali Vi ile çıkış sinyali Vo arasında 180o faz farkı olduğu görülmektedir.
Grafik çözümler, olabilecek DİSTORSİYON lar hakkında bize önemli bilgiler verir. Sinyal kesimde mi, doyumda mı rahatlıkla görebiliriz. Ayrıca JFET transistörlü yükselteçler tasarlanırken birkaç noktaya dikkat etmek gereklidir. Bilindiği gibi JFET transistörün DRAIN karakteristiğinde görülen VGS voltaj basamakları eşit aralıklarda bulunmadığından Q noktası etrafında meydana gelecek simetrik sinyal salınımı drain akımı ID ve VDS geriliminde simetrik değişimlere neden olmaz. Çünkü JFET in giriş karakteristiği ile çıkış karakteristiği arasındaki ilişki doğrusal değildir. Bu nedenle çıkış dalga şeklinde uygun bir doğrusallık elde etmek için, giriş sinyalinin genliği mümkün olduğunca küçük olmalıdır. İkinci olara, çalışma noktası PINCHOFF THRESHOLD eğrisine yakın olarak SEÇİLMEMELİDİR. Çünkü bu eğriye yakın bölgelerde, VGS eğrileri arasındaki uzaklık küçük olduğundan aşırı distorsiyon meydana gelir .Son olarak, gate bayas gerilimi çok yüksek olamamalıdır. Bu durumda küçük negatif sinyal salınımlarında bile transistör tamamen KESİM durumuna geçebilir. FET bayas devrelerinde en çok yukarıdaki şekilde görülen yapı kullanılır. Eğer devremizin kararlılığını daha da arttırmak istersek Self Bayas yerine BJT transistörlerden de hatırlayacağınız gibi Universal bayas devresi kullanmak daha iyi olacaktır. Universal bayas devresi özelliği olarak transistörün parametrelerinde olabilecek bazı değişikliklerden bile devrenin etkilenmemesini sağlamaktadır.
Arkadaşlar dikkat ederseniz yazılarımı bu işe yeni başlayanlara bir ışık tutmak ve elektroniğe başlangıçlarını sağayacak şekilde yazmaya çalışıyorum. Bu güne kadar olan yazılarımda konuların fazlaca derinlerine girmemeye çalıştım ve hep öylede kalacağım. Aslında bu konuları içine daha fazla matematik ve yaklaşımlar katarak daha detaylı anlatmak mümkün.
.

MOSFET (Metal Oksit Alan Etkili Transistör) Metal Oxide Field Effect Transistor

MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür.
Kısaca, MOSFET, IGFET yada Surface Field Effect Transistör de denir. MOSFET, JFET' e pek çok yönden benzerlik gösterir. JFET' de Gate Source ters polarmalanmış bir PN oluşturmaktadır. MOSFET' de böyle değildir. MOSFET' de gate öyle oluşturulmuşturki drain ile source arasındaki bölge üzerine silikon dioksit ve onun üzerine de gate elektrodu (metal plaka) konularak yapılmıştır. Böylece gate metal elektrodu ile drain ve source arasına bir yalıtkan konulmuş olur. Buradaki yalıkan silikon dioksit dir. Bütün oksitler iyi birer yalıtkandır. Hatırlarsanız, oksitlenmiş kontaklardan elektrik akımı geçmez ve biz de oksitlenmiş yerleri temizleriz. Metal oksit ve yarı iletken ile bir Gate oluşturur ve MOSFET adının oluşmasını sağlar. Bu nedenle gate gerilimine JFET' de olduğu gibi bir sınırlandırma konulmamıştır. Tabi bu teoriktir. Gate yalıtkanı o kadar incedir ki eğer bir koruma yoksa vücudumuzdaki gerilim bile bu yalıtkanı delmeye yeter. Ayrıca bu yalıtkan yüzünden gate akımı neredeyse hiç yoktur ve giriş empedansı çok yüksektir. Tipik olarak gate akımı 10 -14 A (0,01piko amper) ve 10-14 ohm (10.000 Giga ohm).
Yukarda belirttiğim gibi gate geriliminin sınırlı olmaması ayrıca MOSFET' de iki durumda çalışma olanağı sağlar. Bunlar "Arttırılmış - Enhancement" ve "Azaltıcı - Depletion" çalışma şekilleridir.
Enhancemen tipi bir MOSFET' in iç yapısı ve sembolleri aşağıdaki şekilde görülmektedir.

N+ nın anlamı, n katkılı bölgenin fazlaca n katkılanmış olmasıdır. Enhancement MOSFET' lere normal olarak çalışmayan "OFF" MOSFET lerde denir.

Enhancemen MOSFET' ler uygun şekilde bayslanmadığı sürece üzerlerinden akım akmaz. Çünkü gate bayasının sıfır olması ile drain - source arasında iki tane arka arkaya bağlanmış PN eklemi vardır. Drain - Source voltajı ne değerde olursa olsun drain akımı akmaz.
Depletion tipi bir MOSFET' iç yapısı ve şekilleri aşağıda görülmektedir.

Depletion tipi MOSFET' ler depletion tiplerinin tam tersidir. Bu tip MOSFET' ler normalde "ON" tipi MOSFET' lerdir. Gate uygun şekilde bayslanmadığı sürece akım geçirirler.

MOSFET ile ilgili hesaplamalar JFET ile büyük benzerlik gösterdiği için bu konuya girmeyeceğim.ID akımını veren formül;
ID= IDSS x (1- (VGS/VT)2
Aşağıda Enhancement ve Depletion MOSFET' lerinin karakteristikleri görülmektedir.

MOSFET, girişinde hiç güç harcamadığı için ve drain - source arası tam olarak "ON" yapıldığında üzerinde çok az güç harcar. Bu nedenle içinde çok sayıda transistör olması istenen entegre devrelerin vazgeçilmez parçalarıdır. Yazımın baş taraflarında da söz ettiğim gibi MOSFET' in gate sini oluşturan dioksit çok ince olduğundan vücut elektriğinden bile kolayca bozulabilir. Bu durumu önlemek için gate ile MOSFET' i oluşturan alt taş (substrate) arasına bir zener diyot fabrikasyon olarak yerleştirilir. Bu zenerin iletime geçme voltajı düşük olacağına göre dışardan gelebilecek gerilimler zener üzerinden kısa devre olur. Fabrikasyon tedbirler alınmasına rağmen bu tür transistörleri taşırken dikkatli olmalı, eğer bacakları bir tel yada benzeri bir şeyle kısa devre edilmişse bunu, transistörü yerine takıdıktan sonra çıkarmalıdır.